电阻测量的定义

通常，电阻（电阻）用于评估物质或材料的电导率（导电性）。我认为下面的Ω（Ohm）是电阻的评估标准（许多人在“欧姆定律”中都记得它）。

电阻_（电阻）=Ω[读数：欧姆]

⇒表示电流难易度的单位

R = V / I　* V =电压，I =电流

由数字万用表（绝缘电阻表）测量的绝缘电阻也通常以Ω单位表示。

电阻单位还根据物质或材料的形状而适当地使用，并且根据测量目标而主要使用，因为存在针对每个行业的工业标准（例如，JIS）的电阻单位。关于电阻的表示法是不同的。

除了电阻[Ω]，热博rb88的电阻测量系统还支持以下两种类型的电阻测量单位：电阻[Ωcm]和薄层电阻[Ω/□]。

电阻=Ωcm[读数：欧姆厘米]

*也称为比电阻。

⇒物质的“体积电阻值”

它主要用于表示较厚物体的电阻，例如硅片，大块以及导电橡胶和塑料。

电阻：R的值由以下等式表示，其中ρ是电阻，L是导体的长度，A是导体的截面积。

R =ρ×[L / A]

因此，电阻值ρ由下式表示。

ρ= V / I×[A / L]

*当单位为Ωcm时，该值为1 cm x 1 cm x 1 cm的体积。根据测量目标的不同，它可能以Ωm（欧姆表）表示。

薄层电阻=Ω/□[读数：欧姆标准平方]

*也称为比电阻。

⇒物质的“表面电阻值”

它主要用于表示片状材料（例如薄膜和膜状材料）的电阻。

一般而言，当表示三维电导率时，电阻由下式表示。

R =ρ×L / A ＝ L / W×ρs

假设样品的长度：L和宽度：W是均匀的，则电阻：R和薄层电阻：ρs相等。

薄层电阻：ρs也可以表示为通过将电阻：ρ除以厚度：t得到的值。

触点类型：4种探头法测量

在这里，热博rb88将介绍接触式电阻测量原理的概述（4探针法）（该原理的详细信息在材料中进行了说明）。

（*对于热博rb88的产品，还有一个系统会根据电阻范围使用不同的测量方法。）

四探针法主要用于接触式情况，可以测量1E-3（1m）到1E + 9（1G）Ω/□电阻范围。

这是在广泛领域中测量电阻的基本测量方法。

●在四探针法中，将按照以下步骤进行测量。

（1）将四个针状电极直线地放在测量样品上。

（2）两个外部探头之间流过恒定电流。

（3）通过测量两个内部探针之间的电位差来计算电阻。

如下图所示，电阻和薄层电阻的测量原理相同。 

电阻（电阻率）

座阻力

热博rb88的4探针测量系统是符合JIS和ASTM标准的测量方法和校正方法，已被用作行业标准测量系统，尤其受到硅相关用户的信赖。我会。

此外，关于可追溯性，热博rb88使用符合NIST（美国国家标准技术研究院）标准的标准样品作为设备校准标准，进行认真的装运前检验。

* 4探针法和“ 4端子法”具有相同的测量原理，唯1的区别是与样品接触的电极部分的形状不同。4探针的针距为1 mm =测量点：大约3 mm，与4端子探针相比，可以在非常小的点上进行测量。另外，如在四端子法中一样，通过消除在样品上形成电极的需要可以提高工作效率。

<4个探头测量参考视频：AIST>

此外，纳普森的4针电阻测量设备符合日本工业标准（JIS）和美国材料测试协会（ASTM）设定的以下标准。

日本工业标准

JIS H 0602-1995

硅单晶和硅晶片的四探针法电阻测量方法

JIS K 7194-1994

导电塑料四探针法电阻测试方法

美国材料试验学会

ASTM F 84-99（SEMI MF84）

用在线四点探针测量硅晶片电阻率的标准测试方法

ASTM F 374-00a

使用单配置程序的在线四点探针对硅外延层，扩散层，多晶硅层和离子注入层的薄层电阻的标准测试方法

ASTM F 390-11

带共线四探针阵列的金属薄膜的薄层电阻的标准测试方法

ASTM F 1529-97

双重配置程序的在线四点探针通过薄层电阻均匀性评估的标准测试方法

非接触型：涡流法测量

在这里，热博rb88将介绍非接触式（涡流法）电阻测量原理的概况（该原理的详细说明在材料中）。

（*在热博rb88的产品中，根据电阻范围，还有另一种非接触式电阻测量方法系统。请单击此处。请参考。此外，关于非接触式测量原理，除了涡流方法外，但很抱歉给您带来麻烦请联系热博rb88）

涡流法主要用于非接触式，可测量1E-3（1m）至1E + 4（10k）Ω/□电阻范围。

它可用于半导体，化合物半导体，液晶和新型碳基材料等广泛领域的测量。

涡电流测量系统使用电磁感应产生的涡电流来测量电阻。

非接触式测量探头单元的探头芯（磁性材料）在两侧（上下）以一定的间隙排列。

<非接触式测量探头单元的结构>

●在涡流法中，按照以下步骤进行测量。

（1）当在探针芯之间施加高频以产生磁通量并且插入样本时，样本中产生涡流。

（2）此时，（1）涡电流流过样品→（2）样品中消耗了电流，发生了功率损耗。

　→③电路中的电流成比例降低。检测该减小的电流值。

（3）由于检测到的电流值与样品的电阻成反比关系，请使用此值。

　座电阻或电阻是从电流值和座电阻的校准曲线（计算公式）得出的。

　　（*计算电阻时需要样品厚度信息）

非接触型（双面探头型）和非破坏型（单面探头型）

如上所述，在非接触型中，通过将样品插入上下配对的探针之间的间隙中来进行测量。

因此，探针单元的形状不可避免地限制了样品的厚度和相应的尺寸。

• 样品厚度限制：探针之间的间隙通常为2 mm。
• 样品支架尺寸限制：由于U形单元的形状，深度受到限制。

因此，为了处理大样本和厚样本，热博rb88通过应用涡流技术开发并制造了一种单面手持式探头。

如左图所示，只需垂直于样品表面触摸探头即可进行测量。