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测量纳米薄膜厚度方向导热系数的商用装置

测量纳米薄膜厚度方向导热系数的商用装置

该装置是目前世界上使用2ω法测量纳米薄膜厚度方向导热系数的商用装置。与其他方法相比,可以轻松地进行样品制作和测量。

用途

  • 通过量化低K绝缘膜的热阻,用于半导体器件的热设计

  • 绝缘膜的开发与散热的改善

  • 热电薄膜应用评价

特征

  • 可以测量在基板上形成的 20 至 1000 nm 薄膜在厚度方向上的热导率。

  • 使用热反射法通过温度幅度检测实现测量

  • 测量样品的简单预处理


测量原理

论文“绝热边界条件下2ω法评估薄板样品的热导率"

当以 f/Hz 的频率加热金属薄膜时,热量以 2 f/Hz 的频率变化。
金属薄膜(0) – 薄膜(1) – 基材三层体系中金属薄膜表面的温度变化(s) T (0) 在充分传热的条件下是一维的穿过金属薄膜/薄膜,下面的公式用来表示传热模型的解析解。

(Λ: 导热系数 W m -1 K -1 , C: 体积比热容 JK -1 m -3 , q: 每体积热容W m -3 , d: 厚度 m, ω: 角频率 (= 2πf) / 秒-1 )

由于实数解(同相幅度)包含薄膜的信息,因此在相同条件下在不同频率下进行测量,同相幅度(2ω)-0.5成正比。
薄膜的热导率λ 1由下式获得。
(M:斜率,n:截距)

TCN-2ω示意图

TCN-2ωSiO 2薄膜的测量结果

薄膜的评价

测量样品

Si衬底上SiO 2薄膜(20-100 nm)示例

薄膜厚度/nm19.951.096.8
导热系数/Wm -1 K -10.821.121.20


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