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TLP 测试仪的检测原理及检测目的

TLP 测试仪的检测原理及检测目的


一、TLP的目的

TLP是Transmission Line Pulse的缩写,当存储在同轴电缆中的电荷被发射时,得到方波。
该特性可用于调查IC的保护电路特性。
重要的一点是方波的上升时间。保护电路的特性随上升时间的变化而变化。因此,作为该器件的一个点,可以将上升时间从高速变为低速是很重要的。
作为目标上升,希望实现比200ps更快的高速上升。

2.TLP理论

TLP 波形采集方法 TLP 波形采集方法
主要有三种。
(1) TDR (Time Domain Refraction )
    使用DUT反射的波形的方法
(2) TDT (Time Domain Transmission)
    如何确定通过DUT的波形
(3) TDTR (Time Domain Transmission and Refraction) )
    以上两种类型都使用。

图 1 显示了 TDR 方法。

TLP01

电压波形通过在放电通路上直接连接示波器来确认,电流波形通过在放电通路上插入电流探头来确认。
在 TDT 方法中,图 1 中的示波器和 DUT 的位置是相反的。
在TLP测试中,可以通过使用滤波器来改变上升时间,但脉冲宽度取决于充电同轴电缆的长度。

图 2 显示了 TLP 的电路配置。

TLP02

T=2 L1/VT为脉宽(ns),L1为同轴电缆长度(mm)

      V=2.0×10^8m/s(例)当L1=20(m)T=200(ns)

TLP03

图 3 是入射到 DUT 并被*消耗时的波形,可以用图 2 中的电压表(示波器)确认。
考虑到L2长10mm、DUT短的情况,分别确认入射波和反射波时的波形如图4左图所示。

可以用电压表确认的波形如图4右侧所示。

TLP04

同样,可以用电流表(电流探头)确认的波形如图 5 右侧所示。


TLP05

TLP测试仪阵容

它是一种模拟保护电路工作特性的装置。
它对于收集和分析内置于集成电路中的保护电路的工作参数非常有用。
VFTLP 测试也是可能的。

产品名称/型号设备描述目录电影

HED-T5000 / T5000VF
HED-T5000
HED-T5000VF

配备先进的测试模式。热博rb88有一个正常测试,应用脉冲宽度为 100 ns / 200 ns,以及一个 VFTLP(非常快速 TLP)测试模式,应用宽度减少到 1 ns。
它对于验证具有 ESD 电阻的 HBM / CDM 测试很有用。您可以使用标准示波器检查设备引脚的入射波和设备引脚的反射波。
该数据被保存并显示在专用监视器上。可以在专用监视器上跟踪入射/反射波的总值、回弹特性、通过 Vf/Im 测量的泄漏测量值等。
来自示波器的存储数据允许算术处理的高度自由。例如,您可以通过在工艺发生变化的晶体管的导通电压和可通过保护电路的最大电流值上叠加迹线来检查差异。
它还可以连接到半自动探测器以自动执行 TLP 测试。
由于可以在Wafer上的应用引脚和芯片之间进行自动移位和自动测量,因此大大提高了测试效率。


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HED-T5000-HC
HED-T5000-HC

目前,对高集成度、高频率和高耐压的器件的需求日益增加。
该设备可以测量传统TLP无法覆盖的高压和大电流特性,有助于获取和分析高压元件的运行参数。





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