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Si 晶片内部检查检测用近红外卤素光源SIS-150 -NIR介绍

Si 晶片内部检查检测用近红外卤素光源SIS-150 -NIR介绍

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SIS-150 (-NIR / -AIR)
近 红外线照射装置

在近红外线区域具有峰值的光纤光源装置。
通过使用专用光学系统和对近红外区域具有灵敏度的相机,它
非常适合非破坏性检查,例如 Si 晶片的内部检查和背面图案的观察。

专用选件
* 可加装波长选择带通滤波器
* 可加装机械快门 * 可加装
256级数字调光板
 * 模数调光板(控制电压(0-5V))
 * 并联调光板(并行8bit数字信号))
 * 串口调光板(RS232C串口8bit数字信号)

模型SIS-150-NIRSIS-150-AIR
额定输入电压AC100-240VAC100-240V
额定输入频率50 / 60Hz50 / 60Hz
照明方式直流点灯方式直流点灯方式
光强调节可变输出电压 可变
电压范围:DC2V 至 15V
可变光强度范围:0.1% 至 100%
可变输出电压 可变
电压范围:DC2V 至 15V
可变光强度范围:0.1% 至 100%
保护功能过流保护电路(重新上电恢复)
过热保护电路(自动恢复)
过流保护电路(重新上电恢复)
过热保护电路(自动恢复)
冷却方式强制风扇冷却强制风扇冷却
工作温度/湿度0℃-40℃/20%-80%RH(但无冷凝)0℃-40℃/20%-80%RH(但无冷凝)
功能灯断信号输出:集电极/发射极开路
模拟信号电压调光:DC0-5V输入
远程灯ON/OFF:通过施加DC5V关闭
灯断信号输出:集电极/发射极开路
模拟信号电压调光:DC0-5V输入
远程灯ON/OFF:通过施加DC5V关闭
外形尺寸W124 x H165 x D224 mm(尺寸不包括突出部分)W124 x H165 x D224 mm(尺寸不包括突出部分)
重量约2.7公斤约2.7公斤
照射波长400-1100nm400-1700nm
峰值波长800nm1000nm
光导标准规格专用耐热光导


近红外卤素光源
近红外卤素光源
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