硅晶片上的氧化膜、抗蚀剂等自动膜厚检测设备介绍
具有缺口检测、自动基线功能和联锁机制的 F50 型号
自动测量对准、基线和薄膜厚度映射
半导体 | 抗蚀剂、氧化膜、氮化膜、非晶/多晶硅等 |
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模型 | F60-t | F60-t-UV | F60-t-NIR | F60-t-EXR |
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测量波长范围 | 380 – 1050nm | 190 – 1100nm | 950 – 1700nm | 380 – 1700nm |
膜厚测量范围 | 20nm – 70μm | 5nm – 40μm | 100nm – 250μm | 20nm – 250μm |
准确性 | ± 0.2% 薄膜厚度 | ± 0.4% 薄膜厚度 | ± 0.2% 薄膜厚度 | |
2纳米 | 1纳米 | 3纳米 | 2纳米 |
可以测量硅晶片上的氧化膜、抗蚀剂等。只需设置样本和对齐,参考等将自动完成。
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硅衬底上氧化膜的测量
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