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Si晶片和化合物晶片的高速加热装置介绍

Si晶片和化合物晶片的高速加热装置介绍

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台式灯加热器 MILA-5050

该设备是一种台式灯加热设备,可以对最大 50 平方毫米的样品进行热处理。
自 MILA-5000 系列台式灯加热器作为样品尺寸达 20 平方毫米的加热装置推出以来,已被许多客户使用。 50 平方毫米,同时保持集成加热炉、腔室和温度控制器的紧凑型机身。

用途

  • Si晶片和化合物晶片的高速加热

  • 光学CVD基板加热等电子材料的高速加热

  • 玻璃基板、陶瓷、复合材料等的热处理。

  • 热循环测试

  • 金属材料的退火

  • 涂膜耐热性评价

  • 有机材料和树脂的加热和干燥

特征

  • 热处理可达到 50 平方毫米的样品尺寸

  • 最高温度1200℃

  • 可高速加热和冷却的红外金像 台式加热装置,集成加热室和温度控制器

  • 您可以轻松设置温度程序并从个人计算机输入外部信号。

  • 可以在个人电脑上显示加热过程中的温度数据。

规格

温度范围室温~1200℃
升温速率50℃/秒
样品尺寸正方形 50 或 φ 50 毫米 x 厚度 5 毫米
加热气氛在真空中,在各种气流中

* 真空排气装置是一个选项
* 加热温度因被加热材料的红外反射/吸收、热容量和材料而异。

测量数据

  • ① 500℃,Δt=3.2℃

  • ② 800℃,Δt=0.6℃

  • ③ 1000℃,Δt=4.2℃

  • ④ 1200℃,Δt=2.6℃



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