tecdia高压单层陶瓷电容的使用示例分析
tecdia高压单层陶瓷电容的使用示例分析
高速、大容量、低时延、超海量连接的5G已经开始应用，着眼于未来 5 到 10 年5G（Beyond 5G）和 6G 的技术开发也已经开始。，氮化镓（GaN）正在成为高效带宽、高功率频率无线通信领域的主流半导体材料。GaN具有比SiC（碳化硅）更稳定的键合结构和更高的介电击穿强度，作为半导体材料也备受关注。它还具有宽禁带。此外，由于它的禁带宽度宽可以在高压下使用，有望进一步降低功耗，提高电子设备的效率。
耐高压单层陶瓷电容器
在GaN半导体中，单层陶瓷电容也用于阻抗匹配，在漏极侧高压下使用，所以能承受高电压的单层陶瓷电容是不可少的。除了偏置电压之外，还叠加了放大的高频电压，因此要求单层陶瓷电容器具有高耐压，并在额定电压范围内留有余量。
制造额定电压200V的单层陶瓷电容。
Tecdia因应市场需求，制作了以下规格的高压单层陶瓷电容器样机。
Tecdia 的高压单层陶瓷电容器具有五个特点。
1．介电击穿电压达到 500 V 或更高，是高压应用的理想选择
2．高可靠性
3．通过定制为矩形，可以对应狭长空间的封装需求（L:W = 最大 8:1）
4．定制尺寸和电容值提供上佳解决方案
5．导电环氧树脂附着保护热敏外围组件
从电介质基板的制造到批量生产，都能提供满足客户需求的产品。
在 Tecdia，热博rb88生产 40 到 50,000 材介电基板，从粘合到内部烧制，可实现适用于高压应用的高绝缘性能。热博rb88从制造介电基板到产品批量生产，热博rb88可以根据客户需求定制尺寸和电容值。
实现半导体高效率
热博rb88通过使用高压单层陶瓷电容器优化阻抗实现了高效率，并且热博rb88收到了与 MOS 电容器相比功率附加效率（PAE）有所提高的反馈。
高压单层陶瓷电容器的应用示例包括用于无线电设备放大半导体的偏置电路和阻抗匹配。
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