日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ITO等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与热博rb88联系）

测量尺寸

无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探头类型的总范围）

*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-​​cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ITO等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与热博rb88联系）

测量尺寸

无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探头类型的总范围）

*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-​​cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）

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