通常，电阻（电阻）用于评估物质或材料的电导率（导电性）。我认为下面的Ω（Ohm）是电阻的评估标准（许多人在“欧姆定律”中都记得它）。

电阻_（电阻）=Ω[读数：欧姆]

⇒表示电流难易度的单位

R = V / I　* V =电压，I =电流

由数字万用表（绝缘电阻表）测量的绝缘电阻也通常以Ω单位表示。

电阻单位还根据物质或材料的形状而适当地使用，并且根据测量目标而主要使用，因为存在针对每个行业的工业标准（例如，JIS）的电阻单位。关于电阻的表示法是不同的。

除了电阻[Ω]，热博rb88的电阻测量系统还支持以下两种类型的电阻测量单位：电阻[Ωcm]和薄层电阻[Ω/□]。

电阻=Ωcm[读数：欧姆厘米]

*也称为比电阻。

⇒物质的“体积电阻值”

它主要用于表示较厚物体的电阻，例如硅片，大块以及导电橡胶和塑料。

电阻：R的值由以下等式表示，其中ρ是电阻，L是导体的长度，A是导体的截面积。

R =ρ×[L / A]

因此，电阻值ρ由下式表示。

ρ= V / I×[A / L]

*单位为Ωcm时，值为1 cm x 1 cm x 1 cm的体积。根据测量目标的不同，它可能以Ωm（欧姆表）表示。

薄层电阻=Ω/□[读数：欧姆标准平方]

*也称为比电阻。

⇒物质的“表面电阻值”

它主要用于表示片状材料（例如薄膜和膜状材料）的电阻。

一般而言，当表示三维电导率时，电阻由下式表示。

R =ρ×L / A ＝ L / W×ρs

假设样品的长度：L和宽度：W是均匀的，则电阻：R和薄层电阻：ρs相等。

薄层电阻：ρs也可以表示为通过将电阻：ρ除以厚度：t得到的值。

 日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪
只需触摸手持式探头即可测量电阻。
在电阻/薄层电阻测量模式之间轻松切换
使用JOG拨盘轻松设置测量条件
连接到连接器的可替换电阻测量探头可支持多种电阻
（电阻探头：多可以使用2 + PN判断探头）

日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ITO等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与热博rb88联系）

测量尺寸

无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探头类型的总范围）

*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-​​cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ITO等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与热博rb88联系）

测量尺寸

无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探头类型的总范围/厚度500um）
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探头类型的总范围）

*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-​​cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）

日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪