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卧式CNT/石墨烯合成装置MPCVD-Graphene的特点
卧式CNT/石墨烯合成装置MPCVD-Graphene的特点
使用高真空泵系统（可选）沉积
的单层石墨烯/Ni 的光学显微图像
基板的快速冷却据说是通过使用碳氢化合物气体（CH4 和 C2H2）的 CVD 方法在催化剂基板（Ni、Cu 等）上生长石墨烯薄膜的重要因素之一。
该装置配备了仅允许加热部分滑动而炉芯管保持原样的机构。这种滑动机构允许炉子的热区快速从样品位置移开，从而使样品快速冷却。此外，通过安装可选的高真空排气系统，可以轻松沉积更大面积的单层石墨烯薄膜。
使用高真空泵系统（可选）沉积的单层石墨烯/Ni 的拉曼光谱
加热期间（载玻片移动前）
冷却时（滑动移动后）
*实际产品可能与照片略有不同。
| 目的 ： | 这是用于合成石墨烯薄膜的管式炉（50mmφ）型热CVD设备。 |
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