日本napson紧凑易用手动非接触电阻测量仪-

测量对象

半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ITO等）
硅基外延离子与
半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请联系热博rb88）

测量尺寸

〜8英寸，或〜156x156mm

测量范围

[电阻率] 1 m至200Ω·cm 
（*所有探头类型的总量程/ 500 um的厚度）
[抗热阻] 10 m至3 kΩ/ sq 
（*所有探头类型的总量程）

*每种探头类型的测量范围，请参见下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-​​cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

带有手持式探头的手动无损（涡流法）电阻测量仪

产品名称：EC-80P（便携式）

产品图片（可根据客户要求进行各种定制）

产品特点

• 电阻可以通过简单地接触手持式探头来测量。
• 在电阻率/薄层电阻测量模式之间轻松切换
• 通过JOG拨盘轻松设置测量条件
• 可更换的电阻测量探头，带连接器，适用于宽电阻范围
• （电阻探头：多可以使用2 + PN判断探头）

测量规格

测量对象

半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ITO等）
硅基外延离子与
半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请联系热博rb88）

测量尺寸

无论样品的大小和形状如何，都可以进行测量（但是，大于20mmφ且具有平坦的表面）

测量范围

[电阻率] 1m至200Ω·cm 
（*所有探头类型的总量程/当厚度为500um时）
[抗热阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探头类型的总量程）

*每种探头类型的测量范围，请参见下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10-1000Ω/□（0.5-60Ω-cm）
（4）S-高：1000-3000Ω/□（60-200Ω-cm）
（5）太阳能晶片：5-500Ω /□（0。 2〜15Ω-cm）

传单

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非接触式（涡流法）电阻率/薄层电阻测量仪，可通过个人计算机轻松操作

产品名称：NC-10（NC-20）

产品图片（可根据客户要求进行各种定制）

产品特点

• 通过PC节省空间，易于操作和数据处理
• 非接触式涡流方法可实现无损测量
• 由于探头是可拆卸和可更换的，因此您可以轻松地为每个范围的探头更换它。
• （*第二和后续电阻探头可选）
• 中心1点测量
• 厚度/温度校正功能（硅晶片）

测量规格

测量对象

半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
 导电薄膜相关（金属，ITO等）
 硅基外延离子与
 半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*请联系热博rb88）

测量尺寸

3至8英寸，〜156 x 156毫米
（可选; 2英寸或12英寸，〜210 x 210毫米）

测量范围

[电阻率] 1m至200Ω·cm 
（*所有探头类型的总量程/当厚度为500um时）
[抗热阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探头类型的总量程）

*每种探头类型的测量范围，请参见下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-​​cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

DUORES手持式薄层电阻测量仪（2个探头更换用[接触型和无损测量探头]）

产品名称：DUORES

产品图片（可根据客户要求进行各种定制）

产品特点

易于携带和测量的手持式薄层电阻测量装置：DUORES

可以根据测量目标交换和使用两种类型的探头（非破坏性/接触式）

•世界上地衣台可以更换和使用两种类型的探头（无损型，接触型）的便捷型薄层电阻测量仪 • 
只需放置/应用探头即可自动进行测量
•电池连续工作时间：24小时（*电池使用时）
•显示数据项数：多100（*显示醉心数据）

•保存的大数据数：50,000（*软件显示屏）
•测量数据传输功能：USB-Mini 
•显示：3个显示单位（Ω/□，S /□，n / m [金属膜厚度转换]）， 4位浮点数（0.000至9999）

*仅出售身体+非破坏性探针，仅出售身体+接触探针。

测量规格

测量对象

薄膜，玻璃，纸材料等 
通常，可以在测量范围内测量任何样品。
•薄膜材料（ITO，TCO等）
•低电子玻璃
•碳纳米管，石墨烯材料
•金属材料（纳米线，网格，网格）
•其他

测量尺寸

无论尺寸和厚度如何，都可以进行
测量（*每个探头的测量点尺寸或更多）

<测量点>

・无损探棒（涡流型）：φ25mm

・接触探针（4种探针）：9mm

测量范围

・无损探棒（涡流方式）：0.5 -200Ω/ sq 
・接触式探棒（4探针方式）：0.1 -4000Ω/ sq

传单

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非接触型（脉冲电压激励法）超低电阻量程电阻测量系统

商品名称：PVE-80

产品图片（可根据客户要求进行各种定制）

产品特点

• 非接触式电阻测量系统，采用脉冲电压激励方法作为测量原理，可在不损坏样品的情况下进行测量

• 节省空间的车身外壳，便携式可移动台

• 通过PC（软件）轻松进行测量操作和数据存储/管理

• 测量显示单元可以根据应用（薄层电阻，电导率，电导率）进行更改

  *本产品使用本公司与千叶大学共同开发的测量方法：脉冲电压激励法（篆隶号5386394）。

测量规格

测量对象

新材料/功能材料（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜（金属，ITO等）
复合半导体（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*联系热博rb88请给我）

测量尺寸

〜A4尺寸（W300 x D210mm）

测量范围

50μ〜1mΩ/平方

传单

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日本napson紧凑易用手动非接触电阻测量仪-