日本napson非接触式薄层电阻多点测量器
测量目标
半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
导电薄膜相关(金属,ITO等)
硅基外延,离子与
半导体相关的注入样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*请与热博rb88联系)
测量尺寸
2-8英寸
(可选; 12英寸)
测量范围
[电阻] 1m至200Ω・ cm
(*所有探头类型的总量程/厚度500um)
[抗剪强度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探头类型的总量程)
*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
商品名称:CRN-100
测量目标
*通常,可以测量本设备测量范围内的任何样品。请联系热博rb88。
・超高电阻薄膜样品(a-Si,IGZO等)
・半导体材料接近绝缘
・导电橡胶
这样
测量尺寸
尺寸:大300 x 400毫米
厚度:大2毫米
*热博rb88可以自定义您的要求,例如尺寸支持。请联系热博rb88。
测量范围
10E + 9〜10E + 15Ω/□
传单
*单击下面的按钮下载该产品的传单。
技术介绍
Napson电阻测量有两种类型:接触型和非接触型。热博rb88将介绍每种测量方法。
海外网络
介绍Napson的海外网络。热博rb88还为在海外工厂的交付和安装提供全面的支持。
售后服务
热博rb88加强了售后服务,因此即使在接触式交付后也可以稳定地使用热博rb88的产品。
日本napson非接触式薄层电阻多点测量器
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